In questa pagina puoi ottenere un'analisi dettagliata di una parola o frase, prodotta utilizzando la migliore tecnologia di intelligenza artificiale fino ad oggi:
Inserisci qualsiasi testo. La traduzione sarà eseguita mediante tecnologia di intelligenza artificiale.
Questo strumento ti consente di perfezionare il testo che hai composto in una lingua non nativa.
Produce anche risultati eccellenti quando si elabora il testo tradotto dall'intelligenza artificiale.
Questo strumento consente di creare un riepilogo di testo in qualsiasi lingua.
Inserisci un piccolo frammento di testo e l'intelligenza artificiale lo espanderà it.
Inserisci qualsiasi testo. Il discorso verrà generato dall'intelligenza artificiale.
Inserisci un verbo in qualsiasi lingua. Il sistema fornirà una tabella di coniugazione del verbo in tutti i tempi possibili.
Inserisci qualsiasi domanda in forma libera in qualsiasi lingua.
Puoi inserire query dettagliate composte da più frasi. Ad esempio:
Эффе́кт Эттингсга́узена — эффект возникновения градиента температур в находящемся в магнитном поле проводнике, через который протекает электрический ток. Если ток протекает вдоль оси , а магнитное поле направлено вдоль , то градиент температур будет возникать вдоль . Эффект назван в честь Альберта фон Эттинсгаузена.
Краткое объяснение эффекта заключается в следующем. В среднем действие силы Лоренца и поля Холла компенсируют друг друга, однако, вследствие разброса скоростей носителей заряда, отклонение «более горячих» и «более холодных» происходит по-разному — они отклоняются к противоположным граням проводника.
Электроны, сталкиваясь с решёткой, приходят с ней в термодинамическое равновесие. Если они при этом отдают энергию, то проводник нагревается; если они поглощают энергию решетки, то проводник охлаждается, в результате чего возникает градиент температуры в направлении, перпендикулярном полю и току .
Характеристикой данного эффекта служит коэффициент Эттингсгаузена :
Эффект Эттингсгаузена может быть только адиабатическим.
Поскольку поле Холла зависит от скорости движения носителей зарядов, то в полупроводниках эффект сильнее на несколько порядков, чем в металлах.